IRFB4332PBF

制造商:        Infineon        

产品种类:        MOSFET        

RoHS:         详细信息        

技术:        Si        

安装风格:        Through Hole        

封装 / 箱体:        TO-220-3        

晶体管极性:        N-Channel        

通道数量:        1 Channel        

Vds-漏源极击穿电压:        250 V        

Id-连续漏极电流:        60 A        

Rds On-漏源导通电阻:        33 mOhms        

Vgs - 栅极-源极电压:        - 30 V, + 30 V        

Vgs th-栅源极阈值电压:        1.8 V        

Qg-栅极电荷:        99 nC        

最小工作温度:        - 55 C        

最大工作温度:        + 175 C        

Pd-功率耗散:        390 W        

通道模式:        Enhancement        

封装:        Tube        

商标:        Infineon Technologies        

配置:        Single        

正向跨导 - 最小值:        100 S        

高度:        15.65 mm        

长度:        10 mm        

产品类型:        MOSFET        

1000        

子类别:        MOSFETs        

晶体管类型:        1 N-Channel        

宽度:        4.4 mm        

单位重量:        2 g