Vishay推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET

近日，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.发布多用途新型30V Trenchfetn沟通® 第五代功率MOSFET-SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信的功率，提高热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN选用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F包装，10V栅极电压环境下的导电阻仅为0.71 m，导通电阻乘以栅极电荷，即MOSFET在开关应用中的关键优值指数（FOM）为42 mΩ*nC，达到行业先进水平。

最近公布的设备占地面积和PowerPAK 1212-8S包装相同，导通电阻降低18%，提高功率。同时，源极倒装技术将热阻从63C/W降到56C/W。此外，SiSD5300DN的优值系数比前代设备低35%，从而减少开关损耗，节约能源转换。
PowerPAK1212-F源极倒装技术混乱一般接地焊层和源极焊盘位置，扩大接地焊层面积，提供更有效的排热方法，有助于降低操作温度。同时，PowerPAK 1212-F减少了开关区域的范围，有助于减少轨道噪声的影响。此外，PowerPAK 1212-F封装源极焊层规格增加了10倍，从0.36mm2增加到4.13 mm2，进而提高热性能。PowerPAK1212-F中间栅极结构还优化了单面PCB基材多器件并接的应用。
SiSD5300DN采用源极倒装PowerPAK1212-F封装，非常适合二次整流和有源钳位电池管理系统（BMS）、降压和BLDC转化器，OR-ing FET、电机驱动器和负载开关的应用。典型的终端设备包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机、清扫车及其无线电基站。
器件经过100% RG和UIS检测符合ROHS规范，无卤素。 

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