MOS场效应管检测方法和判别注意事项

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)晶体管或金属绝缘物用于场效(insulator)-半导体。MOS管source和drain可以互换，它们都是在P型backgate中形成的N型区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两侧交换也不会影响设备的特性，这种设备被称为对称。本文收集整理了一些材料，期待对读者有很大的参考价值。

一、MOS场效用管判断优缺点
1、用测电阻法识别结型场效应管的电级
结型场效应管的三个电级可以根据场效应管的PN结正和反向阻值来区分。具体做法:将万用表拨在R上×在1k档上，任选2个电级，各自测量其正反电阻值。当两个电级的正反向阻值相同，且为数千欧姆时，两个电级分别为漏极D和源极S。对于结型场效应管，漏极和源极可以交换，其余的电级必须是栅极G。还可以随意触摸万用表的黑笔(红笔也可以)一个电级，另一个电笔接触另外两个电级，测量其电阻值。当两次测得的电阻值相似时，黑笔接触的电级为栅极，另外两个电级为漏极和源极。如果两次测量的电阻值很大，说明是PN结的反向电阻，可以判断为N沟场效应管，黑笔连接栅极；如果两次测量的电阻值很小，则为正PN结，即正电阻，确定为P沟场效应管，黑笔也连接栅极。如果没有上述情况，可以按照上述方法更换黑色和红色表笔进行测试，直到确定出栅极。
2、用测电阻法区分场效应管的质量
如何判断场效应管的优缺点？首先测量电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值。具体做法：首先将万用表放在R中×10或R×在100档中，测量源极S和漏极D之间的电阻通常在几十欧元到几千欧元之间（根据指南，不同型号的管道的电阻值不同）。如果测量电阻值超过标准值，可能是由于内部接触不良；如果测量电阻值是无限的，则可能是内部断极。然后在R中放置万用表×10k档，然后测量格栅极G1与G2、格栅极与源极、格栅极与泄漏极之间的电阻值。当测量各种电阻值无限时，表示管道正常；如果测量上述电阻值过小或通道，则表示管道损坏。需要注意的是，如果管道中断了两个栅极，可以采用元件替换法进行检查。
3、用感应信号输入法估算场效应管的放大能力
如何判断场效应管的优缺点：使用万用表电阻R×100档，红表笔接源极S，黑笔接漏极D，给场效应管增加1.5V电源电流，此时指针标注的漏源极间电阻值。然后用手捏紧结型场效应管的栅极G，将人体感应电压信号添加到栅极上。这样，由于管道放大效应，泄漏电压VDS和泄漏电流IB会发生变化，即泄漏电极间电阻会发生变化，从而观察到指针晃动较大。如果手捏栅极指针晃动小，说明管道放大能力差；指针晃动大，说明管道放大能力大；如果指针不动，说明管道坏了。
根据上述方法，我们使用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。首先打开管G极，测量泄漏电阻RDS为600Ω，握紧G极后，指针向左晃动，标记的电阻RDS为12kΩ，指针晃动幅度大，说明管道好，放大能力大。
应用此方法时应注明以下几点：首先，当测试现场效应管握住栅极时，万用表针可能会向右摇晃（电阻值减小）或向左摇晃（电阻值增大）。这是因为人体感应的交流电流较高，不同的场效应可能是由不同的工作点（或在饱和区或不饱和区工作）引起的。实验表明，大多数管道RDS增加，即指针向左摇晃；少数管道RDS减少，使指针向右摇晃。但无论指针晃动方向如何，只要指针摆动幅度较大，就证明管道有较大的放大能力。第二，该方法也适用于MOS场效用管。但需要注意的是，MOS现场效用管的输入电阻很高，栅极G允许的感应电压不宜过高。因此，切记不要用手捏栅极。一定要用螺丝刀握住绝缘柄，用金属杆触摸栅极，避免身体感应电荷直接加入栅极，导致栅极穿透。第三，每次测量结束时，G-S极间短路。这是因为G-S结电容器上充满了少量的电荷，构建了VGS电压，导致指针在再次测量时可能不会移动，只能排出G-S极间电荷的短路。
4、用测电阻法识别无标记的场效应管
如何判断场效应管的优缺点？首先，通过测量电阻，找到两个有电阻值的引脚，即源极S和泄漏极D。剩下的两只脚是第一个栅极G1和第二个栅极G2。写下两个电笔测量的源极S和漏极D之间的电阻值，互换电笔再次测量，记下测量的电阻值，两次测量较大的电阻值，黑色电笔连接的电级为漏极D;源极S与红表笔相连。用这种方法识别S、D极也可以通过估计其管道放大能力来验证，即放大能力较大的黑笔连接到D极；红表笔接地为8极，检验结果应相同。当确定了漏极D、在源极S位置后，按D、在S的对应位置安装人电路，一般G1、G2也会先后对准位置，从而确定两个栅极G1、G2的位置，然后确定了D、S、G1、G2引脚顺序。
5、跨导大小通过测量反向阻值的变化来判断
如何判断场效应管的优缺点？当测量VMOSN通道强化场效应管的跨导特性时，可以用红表笔连接极S、黑笔接漏极D，相当于在源与漏极之间增加反向电压。此时栅极为开路，管反向阻值非常不稳定。在R中选择万用表的欧姆档案×10kΩ高阻档，此时表内电压较高。当专家触摸栅极G时，会发现管道的反向电阻值发生了明显的变化，变化越大，管道的跨导值越大；一旦测量管道的跨导率很小，反向电阻值变化不大。
二、MOS场效用管判断注意事项
1、VMOS管也分为N沟管和P沟管，但绝大多数商品属于N沟管。对于P沟管，测量时应交换笔的位置.
2、G-S之间有少数VMOS管和维护二极管。本检测方法中的1、2项不再适用.
3、目前，市场上还有一个VMOS管功率模块，用于交流电机调速器和逆变器应用。例如，美国IR公司制造的IRFT001模块有三个N通道和P通道管，形成三相桥式结构.
4、目前市场上销售的VNF系列(N沟)商品，是美国Supertex公司制造的超高频功率场效应管，其最大输出功率FP=120mHz，IDSM=1A,PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS.适用于高速开关电路、广播和通信设备.
5、在使用VMOS管道时，必须添加适当的散热器。以VNF306为例，管道安装140×140×4(mm)散热器后，大功率可达30W。

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