联电与英特尔合作开发12纳米芯片 预计2027年投产

联电和英特尔共同宣布，双方将在亚利桑那州工厂合作开发和制造12nm制造平台，以满足行动、通信基础设施建设和网络市场快速增长的要求。
该项 12nm 英特尔在美国的大规模制造能力和制造能力将用于制造 FinFET 英特尔位于亚利桑那州的电晶设计经验 Ocotillo Technology Fabrication 的 12、22 和 32 预计工厂将进行设计和制造 2027 年投入生产。

英特尔高级副总裁和晶圆代工服务（IFS）总经理 Stuart Pann “英特尔专注于与联电等企业合作，为全球客户提供高质量的服务。英特尔与联电的战略合作进一步展示了为全球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺，也实现了英特尔的发展 2030 成为世界第二大晶圆代工厂的重要一步。”
联电总经理王石表示，联电与英特尔在美国合作制造12nm鳍场效电晶体Finfet，是追求成本效率扩张和产品升级对策的重要组成部分。该合作将帮助客户成功升级为12nm工艺技术，并受益于扩大北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待着与英特尔合作，利用互补优势扩大潜在市场，大大加快技术发展进程。
根据Trendforce集邦咨询研究，在2023年第三季度晶圆OEM市场，联电占据全球第四位，市场份额为6.0%，而英特尔晶圆OEM服务（IFS）全球排名第九的是1.0%。 

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