三星计划在2025年后率先进入3D DRAM内存时代

据报道，三星电子在行业会议上 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后率先进入行业 3D DRAM 内存时代。
DRAM 内存领域将线距压缩到十年后期 10nm 下面。然而，在如此详细的规模下，目前的设计方案无法进一步扩展，因此该行业正在探索其中的内容 3D DRAM 包括各种创新内存设计。

三星在 Memcon 2024 在ppt上展示了两项 3D DRAM 内存新技术，包括垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和层叠 DRAM（Stacked DRAM）。
与传统的晶体管结构相比，垂直通道晶体管将沟的方向从水平变为垂直，可以大大降低设备面积的占用，但提高了蚀刻工艺精度的规定。
相较目前 2D DRAM 构造，层叠 DRAM 可充分利用 z 在较小的区域内容纳大量的存储单元，将单芯片容量提升到 100G 以上。
根据市场预测，3D DRAM市场规模预计将在2028年达到1000亿美元（约7240亿元）。为了与关键内存制造商竞争，三星在今年年初在硅谷建立了一个新的3D DRAM研发实验室。
这一举措表明，三星正在积极投资资源，促进3D内存技术的发展，并努力在未来率先推出新一代商品。预计这些新技术也将为三星带来巨大的商机，促进整个DRAM市场的创新和发展。 

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