英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET 为电力电子领域设定新标准

在当今高度依赖电力的社会，电力损失已成为电力电子行业不可忽视的关键因素。英飞凌科技有限公司近日推出新型碳化硅ColSiC，以满足行业对更高效、更可靠的电力处理措施的需求。 MOSFET G2管沟技术。这个技术是AC/DC、DC/DC、DC/AC电源方案中的功率传输效率制定了新的标准，促进了电力电子领域的发展。
与传统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中表现出显著的优势。与上一代G1相比，其关键质量因数提高了20%以上，使其在同等条件下能够更高效地进行电力转换。此外，SiC MOSFET的快速开关能力也提高了30%以上，进一步提高了其在各种应用中的性能。这些优点促使G2在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电及其UPS等操作模式下实现低功率损耗，为现场处理的每个瓦特节能提供了强有力的应用。

值得一提的是，英飞凌独特.XT互连技术在其中也起着重要的作用。该技术有助于提高半导体芯片的性能，同时保证热性能，从而解决了该领域的普遍挑战。新一代产品的热性能提高了12%，芯片质量因数提高到了SiC特性的新水平。此外，CoolSiC G2 MOSFET产品组合也实现了SiC MOSFET市场最低导电阻（Rdson），能效和功率进一步提高，零件数量减少。
除了出色的性能外，CoolSiC MOSFET G2还提高了稳定性，以确保长期现场运行的最佳性能。其中，1200V产品组合可在150℃可靠运行，达到2000°C虚拟结温的负载操作技能促使系统设计师更灵活地应对电网波动等挑战，减少制冷工作，简化系统设计。
Colsic，英飞凌科技有限公司 MOSFET G2技术的推出开启了供电系统和能源转换的新篇章。该技术不仅提高了整体能源效率，进一步促进了碳渗透，而且为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动、工业电源等各种功率半导体用户带来了巨大的优势。与前几代产品相比，配置CoolSiC G2电动汽车直流快速充电站在不改变尺寸的情况下，可以减少10%的功率损耗，实现更高的充电容积。基于CoolSiC G2设备的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的里程数。ColSiC在可再生能源领域的选择 G2定制的太阳能逆变器可以降低规格，同时保持高功率输出，从而降低每瓦的成本。
英飞凌绿色工业电力企业总裁Peter Wawer博士说：“新趋势需要新的、高效的方式来产生、传递和消耗能源。有了CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术可以加快设计成本优化、紧凑、可靠、高效的软件，从而节约能源，减少现场安装每瓦特的CO2消耗。
”Coolsic，英飞凌领先 MOSFET管沟技术结合屡获殊荣.基于CoolSiC的XT包装技术进一步加强 G2具有更好的传热性、更好的安装控制性和更高的特性。此外，英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓(GaN)提供设计稳定性和领先应用专业知识，满足现代设计师的期望和需求，是该领域的所有相关动力技术。宽带间隙基于SiC和GaN(WBG)半导体材料的突破是有目的、有效利用能源促进渗碳的关键。 

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