SK海力士计划升级中国无锡工厂

SK海力士计划在2024年之前将无锡C2工厂转型升级为第四代(1a)D-ram 该工艺达到10nm等级。
随着全球半导体市场的复苏，SK海力士认为扩大高性能芯片的生产能力迫在眉睫。为了保持其市场份额，必须使用10纳米的第四代DRAM或更高版本的产品。SK海力士总裁郭鲁正在参加CES展览时说：“自去年以来，每个人都成立了一个内部工作组来解决地缘政治问题。我相信企业的风险已经大大降低。”

报道称 SK 第四代海力士将在无锡工厂完成 D-RAM 部分工艺，然后将晶圆运到韩国总部利川园区，应用 EUV 加工后返回无锡工厂。
据悉，无锡工厂是SK海力士的关键生产基地，产量约占DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产2款旧的10纳米DRAM。
SK海力士对“无锡工厂升级产品”的消息表示，“无法确认工厂的实际运营计划”。 

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