三星正试产第二代3纳米芯片 力争良率超过60%

报告称，三星已经开始制造第二代3纳米工艺（SF3）试验产品，并测试芯片的性能稳定性，目标是在6个月内超过60%。这一行动表明，三星正在努力与客户竞争，并与台积电竞争激烈。计划在今年上半年逐步生产第二代3纳米围栏（GAA）架构制造。
竞争的焦点主要体现在能否满足Nvidia等大客户、高通、AMD等要求，以及能否在短时间内快速提高效率。三星正在测试SF3开发的芯片的性能可靠性，第一个配备芯片的产品将是即将到来的Galaxy Watch 7应用处理器（AP）。预计SF3芯片也将用于Galaxy Exynosss25系列 2500芯片。

如果SF3的产量和质量稳定，转向台积电的客户将有机会回流。例如，三星非常重视与高通的合作。后者是新一代 Snapdragon 8 Gen 3 合作生产中和台积电。此外，Nvidia H200、B100和AMD MI300X预计也将采台积电3纳米制程。
报告称，SF3芯片的良率目标达到60%，但晶体管数量、芯片尺寸、特性、功耗等规格没有详细描述。对于不同类型的芯片，这些规格会有不同的规定，所以SF3芯片的商业化能否如期实现还需要进一步验证。
此外，智能手镯应用处理器、手机芯片和数据中心处理器的芯片尺寸和性能功耗目标也完全不同。如果小芯片的良率只有 60%很难商用，但如果是光罩规格的话（reticle size）芯片良率为 60%，相当合理。 

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