三星电子时隔8年再建研发中心，专攻先进NAND闪存

最近，世界上最大的存储芯片制造商三星电子计划在本月建立一个新的R&D中心，以开发更先进的NAND闪存。据报道，R&D园区总面积约10.9万平方米，将负责R&DNAND闪存、晶圆OEM、系统芯片等新技术。到2028年，三星电子计划投资约20万亿韩元(约1030亿元人民币)。

最新消息是，8月19日，三星电子在韩国京畿道器兴园区举行了下一代半导体研发（R&D）园区施工仪式。报告显示，三星电子开设了一个更先进的NAND闪存研发中心，与竞争对手开发的先进商品和NAND闪存研发行业的激烈竞争有关。

韩国媒体在报道中提到，SK海力士宣布开发238层NAND闪存，预计明年上半年大规模生产；美光科技也完成了232层NAND闪存的开发。如果你想在未来的NAND闪存市场上占据优势，你必须不断开发更先进的商品。

根据科研机构的数据，三星电子目前在NAND闪存市场的份额远高于其他制造商。今年第一季度，三星电子的份额达到35.3%，第二大制造商凯霞的份额为18.9%，SK海力士的份额为18%。三星电子表示，如果建立顶级设备研发中心，预计将减少新一代产品的研发时间，提高半导体质量。

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