东芝Toshiba推出100V N沟道功率MOSFET

近日，东芝宣布选择东芝最新一代U-MOS X-由H工艺制成的100V N通道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新产品适用于数据中心和通信基站使用的工业设备电源线上的开关电路和热插拔电路[1]。今天，该产品逐渐适用于批量运输。

TPH3R10AQM拥有行业领先的[2]3.1mΩ比东芝目前100V商品“TPH3R70APL”低16%[2]的大漏极-源极导通电阻。TPH3R10AQM根据相同的比较，将安全工作区域扩展到76%[3]，使其适合线性工作。并且减少导电阻，扩大安全工作区域的线性工作范围，可以减少并连接的数量。此外，栅极阈值的电压范围为2.5V至3.5V，由于栅极电压噪声，不易出现故障。
新产品选择高度适应的SOP Advance(N)封装。
未来，东芝将继续扩大其功率MOSFET产品线，降低消耗，提高电源效率，帮助降低设备功耗。
运用- 通信设备的电源，如数据中心和通信基站
- 开关电源(高效DC-DC转换器等)
特点- 行业领先的低导通电阻[2]：RDS(ON)＝3.1mΩ（最高值）（VGS＝10V）
- 宽安全工作区
- 高额定结温：Tch（最高值）＝175℃
主要规格
注：[1] 当机器运行时，在不关闭系统的情况下关闭系统部件的电路。
[2] 东芝调查截至2023年6月。
[3] 脉冲宽度：tw＝10ms，VDS＝48V 

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