英飞凌扩展集成嵌入式纠错码的抗辐射异步静态随机存取存储器产品线

边缘计算和推理可以实现几乎实时的数据分析和决策制定。随着网络设备总数和数据量的增加，这一点变得越来越关键。为了满足太空应用中的这些高性能计算要求，英飞凌科技有限公司的InfineontechnologiesLCMemorySolution最近宣布推出选择英飞凌发明专利RADSTOP™最新的防辐射设计（radhard）异步静态随机存取存储器。新产品是专门为高可靠性、高性能等恶劣环境而设计的。

英飞凌防辐射（rad hard）异步静态随机存储存储器
数据缓冲所需的内存比MCU或在高性能太空计算中 存储器可以在FPGA片上提供大量内存。为了满足恶劣环境下的任务要求，存储器必须为并行处理应用提供更高的特性和优良的防辐射特性。英飞凌新型防辐射静态随机存储存储器（SRAM）配备8位、16位和32位宽，以及可以纠正单比特错误的嵌入式纠错码（ECC）。这种尖端技术促使纠错码（ECC）在读取周期中，逻辑可以检查和纠正获取数据中的任何单比特错误。
英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner博士说：“辐射效应会导致静态随机存储器（SRAM）使用系统级纠错码是不可避免的比特错误（ECC）会增加设计的复杂性和延迟性。RADSTOP异步静态随机存储存储器（SRAM）为满足航天工业防辐射性能的要求，提供了一种非常可靠的单芯片解决方案。
”英飞凌领先的RADSTOP技术根据自身设计和工艺加强技术完成了防辐射特性，能够满足极端条件下的所有防辐射要求。该新型防辐射存储器已获得QML-V认证，能保证极端条件下的稳定性和生命期规定。这类半导体器件的访问时间短至10。 ns，这是目前速度最快的选择。此外，它们还为最高密度和最低静态电流带来了最小的占板面积。RADSTOP存储解决方案扩展了整个系统的计算极限，具有规格、重量、功耗优势和更多的设计灵活性。 

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