美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存

近日，美光科技宣布，HBM3E已开始量产，其24GB 8H HBM3E产品将供应给英伟达，并用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU，GPU将在2024年第二季度逐步发货。过去，英伟达的HBM是由SK海力士独家提供的，现在美光和三星都将增加。
数据显示，基于1的美光科技HBM3E内存β 工艺，TSV包装，2.5D1.22 TB以及更高的特性。美光科技表明，与竞争对手的产品相比，其HBM3E产品具有以下三个优点:(1)卓越性能:美光HBM3E9.2以上Gb/s针角速度，超过1.2 TB/s的内存带宽可以满足人工智能加速器、超级计算机和信息中心的严格要求。(2)优异的能效:与竞争产品相比，美光HBM3E功耗降低了约 在提供较大货运量的前提下，将功耗降到最低，有效缓解数据中心的运营支出指标。(3)无缝扩展: 目前，美光HBM3E可以提供24GB容积，可以帮助数据中心轻松扩展其人工智能应用。它可以提供必要的内存带宽，无论是训练大型神经网络还是加快推理任务。

美光科技实施副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示:“凭借这个HBM3E里程碑，美光科技已经连续三场获胜:领先的上市日期、一流的领域性能和个性化的能效概述。“人工智能的工作负荷严重依赖于内存带宽和体积。美光科技处于有利地位，可以通过行业领先的HBM3E和HBM4路线图以及我们完整的DRAM和NAND解决方案的结合，支持未来人工智能的显著增长。
”美光科技此前曾表示，预计2024年HBM收入将达到“数亿”美元，并在2025年继续增长。Moor Insights & Strategy分析师Anshel Sag表示:“我认为这对美光科技来说是一个巨大的机遇，尤其是因为HBM在人工智能技术方面越来越受欢迎。“由于SK海力士2024年的库存已经售罄，另一个供应市场的供应商可以帮助AMD、扩大GPU业务规模的英特尔或英伟达等芯片制造商。
”到目前为止，HBM技术已经发展到第四代，即HBM商品、HBM2、HBM2E、HBM3，第五代HBM3E目前已量产，HBM被称为人工智能时代的新一代DRAM。 

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