氮化镓成主流 德州仪器加速向8英寸过渡

为了提高产能，获得成本优势，德州仪器正在将GaN(氮化镓)的生产工艺从6英尺连接到8英寸。
韩国德州仪器总监Juu-Yong Shin表示，公司传统上采用6英尺工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂预计将在2025年之前转换为8英尺工艺，而日本会津工厂正在将现有的硅基8英尺生产线转换为Gan半导体生产线。
目前GaN 主要用于外延，硅基衬底成本低，GaN-on-Si生长迅速，容易扩展到8英尺晶圆。随着规格的增加，Gan半导体设备的变化将会减少，因此国内外制造商都在积极推进8英尺Gan晶圆项目的建设。

与第二代半导体化合物相比，Gan具有更宽的禁带宽度、更高的穿透电场、更高的导热系数、电子饱和速度和更好的抗辐射能力。它适用于大功率和高速光电元件。它是一种新型材料，用于微电子元件和光电子元件。
不仅如此，它还可以同时完成高频、高效、高功率的代表材料，广泛应用于 5G 重要产业，如基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等。
以新能源汽车为例，Gan功率半导体主要用于动力总成系统，包括车载充电器OBC、DC-DC/DC-AC和BMS电池管理系统的引入 D型放大器的音频系统可以提供更好的功率和更多的通道，而无需牺牲声音质量，以满足用户市场对优秀音质的追求。
Gan晶体管的应用也可以实现更小、更高效、更低成本的电气系统。 对于汽车行业来说，Gan的使用意味着可以使用更小更轻的电池，充电性能更好，车辆续航时间更长。 此外，Gan还提高了车辆独立性和无线电源应用能力。 

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