英飞凌与多家知名厂商合作 加码SiC与GaN技术

最近，英飞凌与安克创新和盛宏电气公司进行了战略合作。其中，英飞凌还为盛宏提供了行业领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体装置采用EicedRIVER紧凑1200V单通道隔离栅极驱动IC，进一步提高储能变流器的效率。
与此同时，英飞凌还宣布与安克进行创新（Anker Innovations）创新应用中心在深圳联合成立，于2023年12月底正式揭牌投入使用。创新应用中心投入使用后，也为开发能减少二氧化碳排放的高效充电解决方案铺平了道路，从而促进了低碳化过程。


该中心将基于新一代英飞凌混合反激（HFB）1000控制器产品类型 CoolGan，W以上快速充电器 设计IPS产品类型，为市场提供更高功率密度和高能效的PD快速充电解决方案。
与硅材料相比，SiC和GaN各有优势。碳化硅作为一种垂直设备，在耐压等级、开关损耗和耐高温方面具有明显的优势，有利于新能源汽车电力电子系统的轻、高效，有望取代部分硅在光伏、储能和新能源汽车中的部分应用。氮化镓作为一种水平装置，更适合在PD快速充电、微逆变器、服务器电源、电动工具等高频、中小功率场景中使用。在一定程度上，这两种材料是互补的。
根据Trendforce集邦咨询数据，2022年全球Sic功率器件市场规模约为16.1亿美元，到2026年可达53.3亿美元，CAGR可达35%；2022年全球Gan功率器件市场规模将达到1.8亿美元，达到2026年13.3亿美元，CAGR将达到65%。 

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