瑞萨斥资3.39亿美元收购Transphorm 加速布局氮化镓市场

瑞萨电子宣布，日本半导体制造商已与氮化镓功率半导体供应商Transphorm达成共识，并将收购Transphorm的估值约为3.39亿美元，预计将于2024年下半年完成。
据公布，Transphorm股东大会已同意批准最终协议，并建议Transphorm股东通过最终交易和合并。在签署最终协议的同时，已发行普通股约38.6%的TransphormKKR Phorm Investors L.P.与瑞萨签订了支持交易的惯例投票协议。
该交易预计将于2024年下半年完成，但需要Transphorm股东的批准、监管机构的许可和其他惯例交易标准的满足。

作为碳中和的基石，对高效电力系统的要求越来越高。为了应对这一趋势，相关行业正在向碳化硅发展（SiC）以Gan为代表的宽禁带（WBG）材料连接。与传统硅基装置相比，这些先进材料具有更大范围的电压和开关频率。在这种趋势下，瑞萨宣布创建内部SIC生产线，并签署了为期10年的SIC晶圆供应协议。
瑞萨目前的目标是利用Transphorm在Gan方面的专业知识，进一步拓展其WBG商品阵容。Gan是一种可以实现更高开关频率、更低功率损耗和更小尺寸的新兴材料。这些优点使客户系统具有更高效、更小、更轻的结构和更低的整体成本。因此，根据行业分析，Gan的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨将采用Transphorm汽车级Gan技术开发新的强化电源解决方案，如电动汽车X-in-1.电力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费的解决方案。
瑞萨首席执行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由加州大学圣塔芭拉分校领导的企业，扎根于Gan动力和经验丰富的团队。Transphorm Gan技术的加持增强了IGBT和SiC行业的发展势头。功率商品阵容将促进和扩大我们的关键增长支持之一，使我们的客户能够选择最佳的电源解决方案。
”Transphorm创始人、总裁兼首席执行官Primit Parikh博士及Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra博士说：“我们很高兴整合瑞萨的全球布局、一般解决方案和客户关系，为WBG材料的广泛应用铺平道路，为其显著增长奠定基础。这种交易也将使我们能够为客户提供进一步的扩张服务，并为我们的股东带来丰富的即时现金价值。此外，为了进一步发展Transphorm优秀的Gan技术和产品，它将为每个人的优秀团队提供一个强大的平台。
”据悉，瑞萨电子将采用Transphorm的汽车级Gan技术开发新的强化电源解决方案，如电动汽车X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费的解决方案。 

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