全球首片!8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆诞生

最近，世界上第一个8英尺硅光薄膜镍酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室成功退出。该创新技术采用8英尺SOI硅光晶圆与8英尺镍酸锂晶圆的键合方法，完成了片式集成光电的接收，代表了全球硅基化合物光电集成行业的前沿技术。
湖北九峰山实验室工艺中心总经理刘军说：“它确实是世界领先的技术，在工艺设计上应该是独一无二的，也是一项新技术。”
近年来，由于5g通信、大数据、人工智能等领域的强大驱动力，光子集成技术备受关注。公开数据显示，光子集成的概念可以与电子集成（集成电路技术）相比，其核心是将光学系统集成到芯片上的技术系统中。光子集成芯片可以将光学系统的体积减少数千倍，净重减少数千倍。它被称为未来信息产业发展的关键技术。

目前，主流光子集成芯片可分为介质材料光子集成系统、三五光子集成系统、硅光子集成系统、铌酸锂光子集成系统等。不同材料的系统各有优缺点。钒酸锂被认为是理想的光子集成材料，因为它具有大透明窗口、低传输损耗、良好的光电/压电/非线性等物理性能和良好的机械稳定性。单晶薄膜钒酸锂为处理光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成和低调功耗需求提供了迄今为止整体性能的最佳解决方案。
当前，业界对薄膜钒酸锂的发展也主要体现在3寸、4寸、6寸晶圆的制备和微纳加工工艺上。九峰山实验室工艺中心基于8英寸薄膜铌酸锂晶圆，开发了与之匹配的深紫外线(DUV) 光刻、微纳干法蚀刻和薄膜金属工艺成功开发了第一个8英寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，完成了低损耗铌酸锂导线、高带宽电光调制器芯片和高带宽发射器芯片的集成。据报道，该结果是世界上整体性能最好的光电集成芯片。
随着分配率的不断提高，薄膜铌酸锂的优势将更加明显，为未来通信技术的发展带来巨大潜力。预计到2025年，薄膜铌酸锂将逐步推进商业化。根据QYResearch的调查报告，预计2029年全球薄膜铌酸锂调制器市场规模将达到20.431亿美元，2023年至2029年复合年均增长率预计将达到41%。 

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