EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

全球加强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 宜普电源转换公司是IC领域的领导者(EPC)发布 100 V、1 mOhm EPC2361。这是Gan，市场上导电阻最小 FET，与上一代EPC产品相比，其功率提高了一倍。
RDSEPC2361(on)标称值只有1 mOhm，耐热QFN包装，顶部暴露，包装尺寸只有3 mm x 5 mm。RDSEPC2361(on)最高值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体型超过五倍。

EPC2361具有极低的导电阻，可以在电源转换系统中获得更高的功率和效率，从而节约能源、消耗和散热。它是多种应用程序，如大功率 PSU AC高频数据中心/DC同步整流 DC/DC转换、电动汽车、机器人、无人机和太阳能MPPT的电机驱动带来突破。
Alex是宜普电源转换公司的首席执行官和创始人 Lidow说：“EPC新型1 mΩ GaN FET突破了氮化镓技术的极限，帮助客户建立更高效、更小、更可靠的电力电子系统。
EPC90156 半桥EPC2361开发板 GaN FET，专为100 V大器件电压和xx 为了加快产品的上市日期，A设计了较大的输出电流，旨在简化功率系统设计师对氮化镓器件的评估过程。板宽为2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)，专为完成最佳开关特性而设计，并包含所有关键部件进行评估。 

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