三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星电子公司成功宣布其首款12层HBM3E DRAM——HBM3E 12H是三星迄今为止最大的HBM商品。目前，三星已开始向客户提供HBM3E 预计12H样品将于今年下半年开始大规模生产。据了解，三星HBM3E 12H适用于全天最大带宽1280GB/s，商品容积也达到了36GB。与三星8层HBM3相比，HBM3 8H，HBM3E 12H带宽和体积大幅增加50%以上。相比HBM3 8H，HBM3E 人工智能技术配备12H后，预计人工智能训练平均速率可提高34%，推理服务用户数也可提高11.5倍以上¹。

HBM3E 12H采用先进的压合非导电膜（TC NCF）为了满足当前HBM包装的要求，技术促进了12层和8层商品的高度一致。据报道，HBM3E 与HBM3相比，12H产品的垂直密度更高 8H商品增加了20%以上。
三星电子存储器产品策划团队执行副总裁Yongcheoleoleol Bae表示，目前领域的人工智能服务提供商越来越需要更高容量的HBM，而新产品HBM3E 这种新的存储解决方案是公司在人工智能时代开发双层HBM关键技术，为高容量HBM市场提供技术领导力而奋斗的一部分。 

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