三星在硅谷设立新实验室研发下一代 3D DRAM 内存

据业内人士透露，世界上最大的存储芯片制造商三星电子在美国设立了一个新的研究实验室，以开发新一代的3D DRAM。该实验室属于Device，总部位于美国硅谷，承担三星在美国半导体的生产 Solutions America ，三星将致力于开发和改进DRAM模型，引领全球3D存储芯片市场。

相关信息显示，Gb 即兆位（G bit），是 DRAM 密度单位，和 GB（G Byte）不同。一个内存条有多个 DRAM 芯片，这些 DRAM 颗粒组合起来就是 Rank(内存块)，常见的逻辑体积主要包括 8GB、16GB、32GB 这些，但也有 128GB 使用不同数量的服务器级内存 DRAM 芯片，美光官网目前列举 DDR5 SDRAM 产品都 16Gb 和 24Gb 商品，三星官网 DDR5 SDRAM 产品都 16Gb 商品，SK 海力士也是 16Gb 商品。
基于 2013 年全球首款 3D 垂直结构 NAND（3D V-NAND）三星电子的核心目的是商业化的成功经验 DRAM 3D 研发垂直结构。
去年10月，三星表示，它正在为10纳米以内的DRAM准备新的3D结构，允许更多的单芯片容积超过100千兆。
去年三星电子在日本举行的“三星电子”VLSI 研讨会发表了一篇文章，包括 3D DRAM 科研成果论文作为具体半导体展示 3D DRAM 具体图像。 

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